【华通白银网12月20日讯】在寻求保持摩尔定律继续生效的过程中，您可能会想要进一步缩小晶体管，直到最小的部分只有一个原子厚。但不幸的是，这不适用于硅，因为它的半导体特性需要第三维。但是有一类材料可以充当半导体，即使它们是二维的。一些最大的芯片公司和研究机构的新结果表明，一旦达到硅的极限，这些2D半导体可能是一条很好的前进道路。
本周在旧金山举行的IEEE国际电子设备会议上，英特尔、斯坦福和台积电的研究人员针对制造2D晶体管最棘手的障碍之一提出了单独的解决方案：半导体相遇处的电阻尖峰金属触点。与此同时，imec的工程师展示了他们如何为这些新型材料的商业级制造扫清道路，并展示了未来二维晶体管可能有多小。北京和武汉的研究人员也构建了最先进类型的硅器件的二维等效物。
“硅已经达到极限，”斯坦福大学电气工程教授KrishnaSaraswat说。“人们声称摩尔定律已经结束，但在我看来情况并非如此。摩尔定律可以通过进入第三维来继续。”为此，你需要二维半导体或类似的东西，Saraswat说，他与斯坦福大学教授EricPop和台积电的H.-S.?PhilipWong在3D芯片上做研究。由于它们有可能缩小到小尺寸和相对较低的处理温度，二维半导体可以构建在多层中。
二维半导体属于一类称为过渡金属二硫属化物的材料。其中，研究得最好的是二硫化钼（molybdenumdisulfide）。另一个这样的2D材料是二硫化钨（tungstendisulfide），它拥有比MoS2更快的速度。但在英特尔的实验中，MoS2的设备是更优越的。
或许二维半导体面临的最大障碍是与它们建立低电阻连接。这个问题被称为“Fermi-levelpinning”，这意味着金属触点和半导体的电子能量之间的不匹配会对电流产生高阻势垒。这种肖特基势垒的产生的原因是因为界面附近的电子流入低能量材料，留下一个电荷耗尽的区域来抵抗电流。现在的目标是使该区域变得微不足道，让电子可以毫不费力地穿过它。
Saraswat的学生AravindhKumar在IEDM上提出了一个解决方案。在之前的研究中，金是与MoS2形成晶体管的首选触点。但是沉积金和其他高熔点金属会损坏二硫化钼，使屏障问题变得更糟。因此，Kumar试验了熔点在数百摄氏度以下的铟和锡。
沉积黄金会破坏二维半导体。但铟和锡不会造成损害。
但这些值太低，以至于这些金属会在芯片加工和封装过程的后期熔化，这会使芯片暴露在300-500摄氏度的温度下。更糟糕的是，金属在加工过程中会氧化。在试图解决后一个问题的同时，Kumar修复了前者。答案是将低熔点金属与金合金化。铟或锡首先沉积在MoS2上，保护半导体，然后用金覆盖以远离氧气。该过程产生了具有270欧姆-微米电阻的锡金合金和具有190欧姆-微米电阻的铟金合金。并且这两种合金都应该在至少450摄氏度下保持稳定。
台积电和英特尔这两个晶圆制造竞争对手则分别找到了不同的解决方案――锑。台积电企业研究部低维研究经理HanWang解释说，这个想法是通过使用半金属作为触点材料来降低半导体和触点之间的能垒。半金属（Semimetals：例如锑）就像它们位于金属和半导体之间的边界并且具有零带隙的材料。由此产生的肖特基势垒非常低，这就使得台积电和英特尔设备的电阻都很低。
台积电此前曾与另一种半金属铋合作。但它的熔点太低。曾与斯坦福大学的Wong合作过的Wang说，锑更好的热稳定性意味着它将与现有的芯片制造工艺更兼容，从而产生更持久的设备，并在芯片制造工艺的后期提供更大的灵活性。台积电首席科学家。
imec探索逻辑项目经理IngeAsselberghs表示，除了制造更好的设备外，imec的研究人员还对寻找在商用300毫米硅晶圆上集成2D半导体的途径感兴趣。使用300毫米晶圆，imec探索2D设备最终可能会变得多小。研究人员使用二硫化钨作为半导体，形成了双栅极晶体管，其中WS2夹在控制电流流过的顶部和底部电极之间。通过使用图案化技巧，他们设法将顶栅缩小到5纳米以下。该特定设备的性能并不是特别好，但研究指出了改进它的方法。
另外，在本周晚些时候公布的研究中，imec将展示300毫米兼容工艺优化步骤，以通过包括铝酸钆夹层（gadoliniumaluminateinterlaye）等来改善MoS2晶体管特性。
Imec制造了栅极长度小于5纳米的二硫化钨晶体管。
虽然像imec这样的双门器件是二维研究的标准，但北京大学和武汉国家强磁场中心（WuhanNationalHighMagneticFieldCenter）的工程师更进一步。今天的硅逻辑晶体管（称为FinFET）具有一种结构，其中电流流过硅的垂直鳍片，并由覆盖在鳍片三侧上的栅极控制。但是，为了继续缩小设备的尺寸，同时仍然驱动足够的电流通过它们，领先的芯片制造商正在转向纳米片设备。在这些中，半导体带堆叠起来；每个四面都被大门包围。由YanqingWu领导的北京研究人员使用两层MoS2模拟了这种结构.事实证明，该设备不仅仅是其各部分的总和：与其单层设备相比，2D纳米片的跨导要好于两倍以上，这意味着对于给定的电压，它驱动的电流是两倍多。
英特尔模拟了堆叠式二维设备的更极端版本。它的研究人员使用六层MoS2和只有5纳米的栅极长度，而不是北京设备的两层和100纳米。与具有相同垂直高度和15纳米栅极长度的模拟硅器件相比，二维器件封装了两个更多的纳米片并且性能更好。尽管电子通过MoS2的速度比通过硅的速度要慢，并且接触电阻要高得多，但所有这一切都是如此。
随后，Wu和同事又朝着模仿硅器件制造商的近期计划迈出了一步。根据定义，CMOS芯片由成对的N-MOS和P-MOS器件组成。作为将更多设备塞入同一硅片区域的一种方式，芯片制造商希望将这两种类型的设备堆叠在一起，而不是并排排列。英特尔在去年的IEDM上展示了这种称为互补FET(CFET)的硅器件。Wu的团队通过用二硒化钨替换堆叠器件中的MoS2层之一来尝试相同的方法。然后，通过修改源极和漏极之间的连接，2DCFET变成了一个反相器电路，其占位面积与单个晶体管基本相同。
在二维半导体在大规模制造中获得一席之地之前，显然还有很多工作要做，但随着接触电阻的进展和新实验显示的潜力，研究人员充满希望。
（文章来源：半导体行业观察）
